型号:SQ4840EY-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 20.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9 毫欧 @ 14A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 62nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2440pF @ 20V |
功率_最大 | 7.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
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Texas Instruments
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SOIC
- SEC4001C
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